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加熱爐/電爐產(chǎn)品及廠家

高真空鉭加熱爐
產(chǎn)品簡介：高真空鉭加熱爐是高溫電阻加熱爐。以鉭為加熱元件，適用于高真空狀態(tài)下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結、熔化，也可以對小型樣品進行真空釬焊的操作，如硬質合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。高真空鉭加熱爐極限工作溫度為2000℃，工作溫度≤1800℃，工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進行設置，但升溫速度過快會使鉭爐膽的壽命會有所降低，為了延長爐子的使用壽命，推薦每分鐘的升溫速度為20℃，在500℃以下可以適當加快升溫速度。該爐溫控表最多可以儲存4組程序，每組程序最多可以設定10個加熱步驟，在10個步驟中可以對樣品進行
更新時間:2025-01-02
1700℃雙溫區(qū)高溫真空管式爐GSL-1700X-Ⅱ
1700℃雙溫區(qū)高溫真空管式爐gsl-1700x-ⅱ每個溫區(qū)長300mm，由30段智能溫度調節(jié)儀進行控溫，采用硅鉬棒加熱元件溫度可達1700℃，采用硅碳棒加熱元件溫度可達1400℃，通過調節(jié)兩個溫區(qū)的控溫程序使爐管內(nèi)溫度場形成一溫度梯度。本機可用于cvd或pvd方法來生長納米材料和制作各種薄膜。
更新時間:2025-01-02
1400℃雙溫區(qū)真空氣氛管式爐GSL-1400X-II
400℃雙溫區(qū)真空氣氛管式爐gsl-1400x-ii以硅碳棒為加熱元件，采用s型單鉑銠熱電偶測溫和518p溫控儀自動控溫。本機設有真空裝置，可在多種氣氛下工作，主要用于電子陶瓷產(chǎn)品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積（cvd）等工藝，特別適合批量生產(chǎn)使用。
更新時間:2025-01-02
1100℃帶校準系統(tǒng)管式爐GSL-1100X-50-LVT
產(chǎn)品簡介：1100℃帶校準系統(tǒng)管式爐gsl-1100x-50-lvt是分體式真空管式爐，配有 omega 測溫儀及k 型熱電偶一套，將k型熱偶從左端法蘭安裝于爐管內(nèi)部，即可在omega測溫儀上讀取樣品實時溫度。采用30段可編程溫度控制儀，可根據(jù)實驗要求設置所需要的升溫速率。但要注意爐體在加熱過程中真空度不能高于10-2torr，否則容易造成爐管的損壞 。
更新時間:2025-01-02
真空熱壓爐OTF-1200X-VHP4
真空熱壓爐otf-1200x-vhp4是在真空高壓下制備致密化合物材料的理想工具，在5t壓力下可鍵合多層基片。本機可以加熱到1100 ℃，并設有30段控溫程序。
更新時間:2025-01-02
SKJ-M50-16金屬晶體生長爐
skj-m50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設備，可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運行。根據(jù)金屬的屬性，本機可采用中頻感應加熱電源，以及石墨電阻加熱兩種加熱方式；采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫，使結晶體按照一定的直徑進行控制。
更新時間:2025-01-02
SKJ-50晶體生長爐
skj-50晶體生長爐是用提拉法生長高質量氧化物單晶及金屬單晶，如藍寶石、ggg、yag、srlaalo4、laalo3、si、ge等，最大可長出晶體尺寸達3" 。
更新時間:2025-01-02
1400℃鐘罩爐KSL-1400X-BL
1400℃鐘罩爐ksl-1400x-bl是大型的鐘罩爐，其最高溫度為1400℃，容積為512l，是金屬退火和高溫燒結的最佳理想設備。 1400℃鐘罩爐ksl-1400x-bl是大型的鐘罩爐，其最高溫度為1400℃，容積為512l，是金屬退火和高溫燒結的最佳理想設備。 1400℃鐘罩爐ksl-1400x-bl是大型的鐘罩爐，其最高溫度為1400℃，容積為512l，是金屬退火和高溫燒結的最佳理想設備。 1400℃鐘罩爐ksl-1400x-bl是大型的鐘罩爐，其最高溫度為1400℃，容積為512l，是金屬退火和高溫燒結的最佳理想設備。
更新時間:2025-01-02
臺車爐ZWDL-900X
臺車爐zwdl-900x是箱式高溫燒結爐，為分體結構，爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用硅碳棒為加熱元件。工件式樣在箱體中加熱，加熱元件均勻的裝于兩壁，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩(wěn)定，長壽命的“s”型熱電偶，以提高控溫的精準性。
更新時間:2025-01-02
可滑動RTP爐OTF-1200X-4-RTP-SL
可滑動rtp爐otf-1200x-4-rtp-sl是一種快速熱處理爐，采用紅外燈加熱和移動爐體快速冷卻，可獲得最高升溫速率為100°c/s 、降
更新時間:2025-01-02
1200℃熔煉、鑄造爐VMCS-1200-LD
200℃熔煉/鑄造爐vmcs-1200-ld最高溫度可達1200℃，適合在氣氛保護環(huán)境下熔煉各種合金。采用封閉腔體，以保證在對樣品熔煉和澆注的過程中不生成氧化物及缺陷。對于合金探索是理想的實驗幫手。
更新時間:2025-01-02

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