原子層沉積系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
更新時間:2024-12-24
minilock-orion iii是一套最先進(jìn)的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)？沙练e的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅。
更新時間:2024-12-24
型號：新雪麗 (405321) 歐款pvc涂層滌綸防寒工作服；內(nèi)部襯里為3m thinsulatetm 填充物，帶拉鏈，襯里可拆卸。帽子固定，可折疊到衣領(lǐng)中，
更新時間:2024-12-23
專業(yè)定制的高頻電子控制紫外光源，光照均勻，無閃爍，延長燈管壽命全電腦控制所有操作過程，高度程序化（電腦控制暗箱電源/紫外1、2及白光燈的開關(guān)/光圈/變焦/焦距）
更新時間:2024-12-13
picosun®r-200 advanced ald系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如ic組件，mems器件，顯示器，led，激光和3d對象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。
更新時間:2024-08-26
picosun®p-300b ald系統(tǒng)是專為生產(chǎn)mems設(shè)備（例如打印頭，傳感器和麥克風(fēng)）以及各種3d物品（例如機(jī)械零件，玻璃或金屬薄板，硬幣，手表零件和珠寶，鏡片，光學(xué)器件以及醫(yī)療設(shè)備和植入物。
更新時間:2024-08-26
picosun獨特的突破性ald專業(yè)知識可追溯到ald技術(shù)本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ald方法，并在工業(yè)上獲得了。在高質(zhì)量ald系統(tǒng)設(shè)計方面擁有豐富的經(jīng)驗。
更新時間:2024-08-26
nld-3500（m）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上
更新時間:2024-03-28
nld-3000原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
nano-master針對ingan及algan沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(pa-mocvd),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的rf射頻等離子源以及工藝終端的n2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7torr極限真空)、pc全自動控制，完全的安全互鎖。
更新時間:2024-03-28
nano-master(那諾-馬斯特)noc-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供最先進(jìn)的技術(shù)，系統(tǒng)的設(shè)計也可以支持其中任一個腔體的單獨使用，同時具備各自的自動上/下載片功能。在一個腔體中實現(xiàn)原子級清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣片進(jìn)行表面涂覆，整個過程不間斷真空。
更新時間:2024-03-28
nte-4000（a）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)概述：nano-master nte-4000是一款pc計算機(jī)控制的全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備的設(shè)計經(jīng)過非常慎重的考慮:在小的占地面積情況下實現(xiàn)干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝過程。它們具有低價格, 高性能以及高能力的特點，可滿足于客戶研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用要求。 nte-4000熱蒸發(fā)系統(tǒng)可以在設(shè)定的rms電流下，或者在閉環(huán)的配置下操作，并且在這種情況下沉積速度的變化被用于調(diào)節(jié)rms電流以維持恒定的沉積速度。
更新時間:2024-03-28
nld-3500（a）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
npe-4000（icpm）icpecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（icpm）peald系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
npe-4000（icpa）全自動icpecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
npe-3500 pecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
npe-3000 pecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（icpa）全自動peald系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（a）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（m）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上
更新時間:2024-03-28
1、實驗中心：提供免費實驗服務(wù)（特殊材料實驗除外），幫助客戶了解電爐設(shè)備及實驗物品的性能等參數(shù)。(新用戶限免費實驗1次，老用戶*)。2、技術(shù)咨詢：免費為客戶提供電爐設(shè)備與實驗材料相關(guān)的技術(shù)咨詢、常規(guī)技術(shù)服務(wù)等，設(shè)備配件更換，僅收成本費。3、非標(biāo)訂制：可根據(jù)實際客戶需要訂制爐膛尺寸，配置相應(yīng)的對應(yīng)規(guī)格配件
更新時間:2023-09-01
美國svt公司ald原子層沉積系統(tǒng)自1990年來薄膜淀積設(shè)備制造商。擁有獨立的室內(nèi)實驗室用于材料研究和工藝開發(fā)。提供廣泛的服務(wù)，包括淀積設(shè)備、淀積部件、集成傳感器以及工藝控制設(shè)備制造和工藝技術(shù)的高度結(jié)合，為客戶提供的技術(shù)服務(wù)實驗室7臺應(yīng)用淀積設(shè)備生長出的材料多條設(shè)備生產(chǎn)線幾乎覆蓋了整個薄膜淀積設(shè)備市場在薄膜淀積領(lǐng)域擁有超過120臺設(shè)備的供應(yīng)商。
更新時間:2021-11-25
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設(shè)備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設(shè)備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設(shè)備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設(shè)備。
更新時間:2020-05-27
此產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：半導(dǎo)體、納米材料、鈉米科技、薄膜材料、薄膜沉積以及航空航天領(lǐng)域。 picosun公司是一個國際化的設(shè)備制造商，在全球有銷售和服務(wù)機(jī)構(gòu).我們開發(fā)和制造原子層沉積反應(yīng)器用于微米和納米技術(shù)應(yīng)用。picosun為客戶提供用戶友好，可靠及多產(chǎn)的ald工藝工具，提供從研發(fā)到生產(chǎn)的工業(yè)放大。picosun基地在芬蘭的espoo，美國總部在detroit。sunale型ald工藝工具被用于歐州、美國及亞洲前沿的科學(xué)機(jī)構(gòu)、公司。
更新時間:2020-05-26
neocera公司的使命是為研究新型先進(jìn)薄膜材料和器件的科學(xué)家和工程師提供服務(wù)。我們通過以下手段來實現(xiàn)此目標(biāo)：
更新時間:2020-05-26
ion beam assisted deposition (離子輔助沉積) 離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù) 高性能的ibad(離子輔助沉積)系統(tǒng)
更新時間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
更新時間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子
更新時間:2020-05-26
深圳北斗芯微科技有限公司是一家專業(yè)pcb線路板設(shè)計，芯片解密和oem代工的的公司，主要從事:pcb layout；pcb改板，電路板克隆（抄板）；pcb轉(zhuǎn)原理圖，bom單制作； 各類電路板制板；樣機(jī)制作、調(diào)試，pcb批量生產(chǎn)，防抄板技術(shù)，半成品加工，oem代工生產(chǎn)，芯片解密等 。公司擁有一批具有多年線路板設(shè)計經(jīng)驗的專業(yè)技術(shù)精英，對多層pcb板有極 其詳盡透徹的了解，對含有激光孔、盲孔、埋孔的高端pcb板結(jié)構(gòu)及走線規(guī)則的 理解更是勝人一籌。無論是元件密集，遍布微帶線、等長線的電腦主板、高端顯卡板、千兆網(wǎng)絡(luò)設(shè)備基板，或是對高頻處理要求苛刻，電磁兼容性控制嚴(yán)格的小靈通主板、手機(jī)主板、無線網(wǎng)卡、藍(lán)牙板、路由器及其他無線通訊設(shè)備，以及疊層多達(dá)30多層pcb板，盲孔埋孔密布的工控主板，我們都能依據(jù)客戶提供的一套完好樣板一次性克隆成功。
更新時間:2012-07-18
最新產(chǎn)品
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- 優(yōu)勢供應(yīng)#歐洲原廠進(jìn)口#SCHUNK備件 2024/12/26 17:36:54
- 優(yōu)勢供應(yīng)#歐洲原廠進(jìn)口#REXROTH備件 2024/12/26 17:36:15
- #主推品牌6SL3130-1TE24-0AA0#2024省市縣+鄉(xiāng)鎮(zhèn)+派+送+時效快捷 2024/12/26 17:34:43
- #主推品牌05404600#2024省市縣+鄉(xiāng)鎮(zhèn)+派+送+時效快捷 2024/12/26 17:34:24
- #優(yōu)勢主推51000398351-0003-98掃描架操作面板#發(fā)車準(zhǔn)時2024全+境+閃+送 2024/12/26 17:34:11